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SPD06N80C3 Datasheet

  • SPD06N80C3

  • Cool MOS⑩ Power Transistor

  • 11頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Final data
SPD06N80C3
V
DS
R
DS(on)
I
D
800
0.9
6
P-TO252
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Worldwide best
R
DS(on)
in TO252
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
V
鈩?/div>
A
Type
SPD06N80C3
Package
P-TO252
Ordering Code
Q67040-S4352
Marking
06N80C3
Maximum Ratings, at
T
C
= 25擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Symbol
I
D
Value
6
3.8
Unit
A
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
=1.2A,
V
DD
=50V
I
D puls
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
18
230
0.2
6
鹵20
83
-55... +150
A
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
I
D
=6A,
V
DD
=50V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
Gate source voltage
Power dissipation,
T
C
= 25擄C
Operating and storage temperature
Page 1
2003-07-02

SPD06N80C3 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 800 V

  • +/- 20 V

  • 6 A

  • 0.9 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • TO-252

  • Reel

  • 8 ns

  • - 55 C

  • 83 W

  • 15 ns

  • 1

  • 72 ns

  • SP000318350 SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3XT

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