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SPD04N60C3 Datasheet

  • SPD04N60C3

  • Cool MOS™ Power Transistor

  • 12頁

  • INFINEON   INFINEON

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Final data
SPD04N60C3
SPU04N60C3
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
P-TO251
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
High peak current capability
鈥?/div>
Improved transconductance
650
0.95
4.5
P-TO252
V
鈩?/div>
A
Type
SPD04N60C3
SPU04N60C3
Package
P-TO252
P-TO251
Ordering Code
Q67040-S4412
-
Marking
04N60C3
04N60C3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 3.4 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
E
AR
I
D
= 4.5 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Gate source voltage static
V
GS
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25擄C
Operating and storage temperature
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
4.5
鹵20
鹵30
50
-55... +150
W
擄C
A
V
0.4
I
D puls
E
AS
Symbol
I
D
4.5
2.8
13.5
130
mJ
Value
Unit
A
Page 1
2003-10-02

SPD04N60C3 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 600 V

  • +/- 20 V

  • 4.5 A

  • 0.95 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • TO-252

  • Reel

  • 9.5 ns

  • - 55 C

  • 50 W

  • 2.5 ns

  • 1

  • 58.5 ns

  • SP000313944 SPD04N60C3BTMA1 SPD04N60C3XT

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