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SPD02N60 Datasheet

  • SPD02N60

  • SIPMO Power Transistor

  • 9頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
SPD02N60
SPU02N60
SIPMOS
廬
Power Transistor
鈥?/div>
N-Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
Pin 1
G
Type
SPD02N60
SPU02N60
Pin 2
D
Pin 3
S
V
DS
I
D
600 V 2 A
R
DS(on)
@ V
GS
Package
V
GS
= 10 V P-TO252
5.5
鈩?/div>
P-TO251
Ordering Code
Q67040-S4133
Q67040-S4127-A2
Maximum Ratings,
at
T
j = 25 擄C, unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Continuous drain current
Value
2
1.3
8
135
Unit
A
I
D
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Pulsed drain current
I
Dpulse
E
AS
T
C
= 25 擄C
Avalanche energy, single pulse
mJ
I
D
= 2 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
鈩?
T
j
= 25 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j
T
stg
鹵20
55
-55 ... +150
-55 ... +150
55/150/56
V
W
擄C
T
C
= 25 擄C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
1
10 / 1998

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