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SPD02N50C3 Datasheet

  • SPD02N50C3

  • Cool MOS™ Power Transistor

  • 11頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Final data
SPD02N50C3
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
560
3
1.8
V
鈩?/div>
A
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
Ultra low effective capacitances
鈥?/div>
Improved transconductance
P-TO252-3-1
Type
SPD02N50C3
Package
P-TO252-3-1
Ordering Code
Q67040-S4570
Marking
02N50C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
I
D
Value
Unit
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
A
1.8
1.1
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 1.35 A,
V
DD
= 50 V
I
D puls
E
AS
5.4
50
0.07
1.8
鹵20
鹵
30
mJ
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
E
AR
I
D
= 1.8 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Gate source voltage
V
GS
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25擄C
Operating and storage temperature
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
A
V
W
擄C
25
-55... +150
Page 1
2003-10-07

SPD02N50C3 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 500 V

  • +/- 20 V

  • 1.8 A

  • 3 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • TO-252

  • Reel

  • 15 ns

  • - 55 C

  • 25 W

  • 5 ns

  • 2500

  • 70 ns

  • SP000313942 SPD02N50C3BTMA1 SPD02N50C3XT

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