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SPB80N06S2L-11 Datasheet

  • SPB80N06S2L-11

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 313.94KB

  • 8頁(yè)

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SPP80N06S2L-11
SPB80N06S2L-11
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
P- TO263 -3-2
55
11
80
P- TO220 -3-1
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
SPP80N06S2L-11
SPB80N06S2L-11
Package
P- TO220 -3-1
P- TO263 -3-2
Ordering Code
Q67060-S6035
Q67060-S6036
Marking
2N06L11
2N06L11
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TC
=25擄C,
1)
Value
80
58
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
320
280
16
6
鹵20
158
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode dv/dt
I
S
=80A,
V
DS
=44V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-05-09

SPB80N06S2L-11 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • OptiMOS?

  • 卷帶（TR）

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 55 V

  • 80A（Tc）

  • 4.5V，10V

  • 11 毫歐 @ 40A，10V

  • 2V @ 93μA

  • 80 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 2650 pF @ 25 V

  • -

  • 158W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 表面貼裝型

  • PG-TO263-3-2

  • TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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