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SPB160N04S2L-03 Datasheet

  • SPB160N04S2L-03

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 299.98KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SPB160N04S2L-03
OptiMOS
廬
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
40
2.7
160
P- TO263 -7-3
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
High Current Rating
鈥?/div>
Low On-Resistance
R
DS(on)
鈥?/div>
175擄C operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
Package
SPB160N04S2L-03 P- TO263 -7-3
Ordering Code
Q67060-S6138
Marking
P2N04L03
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
1)
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Value
160
160
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
640
810
30
6
鹵20
300
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
I
D
=80A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode dv/dt
I
S
=160A,
V
DS
=32V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-05-22

SPB160N04S2L-03 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • N-Channel

  • 40 V

  • +/- 20 V

  • 160 A

  • 0.0027 Ohms

  • Single Quad Source

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-263

  • Reel

  • 72 ns

  • - 55 C

  • 300 W

  • 80 ns

  • 1000

  • 93 ns

  • SP000014639 SPB160N04S2L03DTMA1 SPB160N04S2L03NT

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