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SPB10N10L Datasheet

  • SPB10N10L

  • SIPMOS Power-Transistor

  • 8頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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SPB10N10L
SIPMOS
餂?/div>
Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
154
10.3
P-TO263-3-2
V
A
Type
SPB10N10L
Package
P-TO263-3-2
Ordering Code
Q67042-S4164
Marking
10N10L
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
10.3
8.1
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
42.2
60
6
鹵20
50
-55... +175
55/175/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv/dt
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
I
S
=10.3A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=175擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

I
D
=10.3 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Page 1
2005-02-14







m

SPB10N10L 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • SIPMOS?

  • 卷帶（TR）

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 100 V

  • 10.3A（Tc）

  • 10V

  • 154 毫歐 @ 8.1A，10V

  • 2V @ 21μA

  • 22 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 444 pF @ 25 V

  • -

  • 50W（Tc）

  • -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 表面貼裝型

  • PG-TO263-3-2

  • TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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