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SPB02N60C3 Datasheet

  • SPB02N60C3

  • Cool MOS™ Power Transistor

  • 12頁

  • INFINEON   INFINEON

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Final data
SPP02N60C3
SPB02N60C3
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
P-TO263-3-2
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
Ultra low effective capacitances
650
3
1.8
V
鈩?/div>
A
P-TO220-3-1
Type
SPP02N60C3
SPB02N60C3
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
Ordering Code
Q67040-S4392
Q67040-S4393
Marking
02N60C3
02N60C3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
E
AS
Symbol
I
D
1.8
1.1
5.4
50
0.07
1.8
鹵20
鹵30
25
-55... +150
W
擄C
A
V
mJ
Value
Unit
A
I
D
= 1.35 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
E
AR
I
D
= 1.8 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Gate source voltage static
V
GS
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25擄C
Operating and storage temperature
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
Page 1
2003-10-02

SPB02N60C3 產(chǎn)品屬性

  • SPB02N60C3

  • CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

  • 1,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • CoolMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 650V

  • 1.8A

  • 3 歐姆 @ 1.1A，10V

  • 3.9V @ 80µA

  • 12.5nC @ 10V

  • 200pF @ 25V

  • 25W

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • PG-TO263-3

  • 帶卷 (TR)

  • SP000013516SPB02N60C3INTRSPB02N60C3XTSPB02N60C3XT-ND

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