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SP8M21TB Datasheet

  • SP8M21TB

  • Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 45V, 0.037ohm, 2-Ele...

  • 8頁(yè)

  • ROHM

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SP8M21
Transistors
4V Drive Nch+Pch MOSFET
SP8M21
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
SOP8
5.0
0.4
(8)
(5)
1.75
1pin mark
1.27
0.2
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Package specifications
Package
Type
SP8M21
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TB
2500
Inner circuit
(8)
(7)
(6)
(5)
鈭?
鈭?
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
鈭?
鈭?
(1)
(2)
(3)
(4)
鈭?
ESD PROTECTION DIODE
鈭?
BODY DIODE
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
Mounted on a ceramic board.
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
鈭?
I
S
I
SP
鈭?
P
D
鈭?
Tch
Tstg
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Limits
Tr1 : N-ch
Tr2 : P-ch
45
鈭?5
20
鈭?0
鹵4.0
鹵6.0
鹵16
鹵24
1.0
鈭?.0
24
鈭?6
2.0
1.4
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W / ELEMENT
擄C
擄C
Rev.A
0.4Min.
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S protection diode.
3) Small and surface mount package (SOP8).
(1)
(4)
3.9
6.0
1/7

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