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SP8J3 Datasheet

  • SP8J3

  • 4V Drive Pch+Pch MOS FET

  • 5頁(yè)

  • ROHM

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SP8J3
Transistors
4V Drive Pch+Pch MOS FET
SP8J3
Structure
Silicon P-channel MOS FET
External dimensions
(Unit : mm)
SOP8
5.0
0.4
1.75
(5)
1pin mark
1.27
0.2
Each lead has same dimensions
Applications
Power switching, DC-DC converter
Packaging specifications
Package
Type
SP8J3
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TB
2500
Inner circuit
(8)
(7)
(6)
(5)
鈭?
鈭?
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
鈭?
鈭?
(1)
(2)
(3)
(4)
鈭?
ESD PROTECTION DIODE
鈭?
BODY DIODE
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
<It is the same ratings for Tr1 and Tr2.>
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
Mounted on a ceramic board
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
鈭?
I
S
I
SP
鈭?
P
D
鈭?
Tch
Tstg
Limits
鈭?0
鹵20
鹵3.5
鹵14
鈭?.6
鈭?4
2.0
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
鈭?/div>
Mounted on a ceramic board.
Symbol
Rth(ch-a)
鈭?/div>
Limits
62.5
Unit
擄C
/ W
Rev.A
0.4Min.
Features
1) Low On-resistance. (100m鈩?at 4.5V)
2) High Power Package. (P
D
=2.0W)
3) High speed switching.
4) Low voltage drive. (4V)
(8)
(1)
(4)
3.9
6.0
1/4

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Switching (−30V, −5.0A)
    ROHM [Rohm...
  • 英文版
    Switching (−30V, −4.5A)
    ROHM [Rohm...
  • 英文版
    4V Drive Pch+Pch MOS FET
    ROHM
  • 英文版
    Switching (−30V, −3.5A)
    ROHM [Rohm...
  • 英文版
    Switching (−30V, −2.0A)
    ROHM [Rohm...
  • 英文版
    4V Drive Pch+Pch MOS FET
    ROHM
  • 英文版
    Switching (−30V, −7.0A)
    ROHM [Rohm...
  • 英文版
    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
  • 英文版
    暫無描述
    ROHM
  • 英文版
    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC

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