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SMBT2907A Datasheet

  • SMBT2907A

  • PNP Silicon Switching Transistors

  • Infineon   Infineon

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PNP Silicon Switching Transistors
SMBT 2907
SMBT 2907 A
q
High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA
q
Low collector-emitter saturation voltage
q
Complementary types: SMBT 2222,
SMBT 2222 A (NPN)
Type
SMBT 2907
SMBT 2907 A
Marking
s2B
s2F
Ordering Code
(tape and reel)
Q68000-A6501
Q68000-A6474
Pin Configuration
1
2
3
B
E
C
Package
1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation,
T
S
=
77 藲C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
290
鈮?/div>
220
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Values
Unit
SMBT 2907
SMBT 2907 A
40
60
60
5
600
330
150
鈥?65 鈥?+ 150
mA
mW
藲C
V
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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