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SMBT2222A Datasheet

  • SMBT2222A

  • NPN Silicon Switching Transistors

  • Infineon   Infineon

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NPN Silicon Switching Transistors
SMBT 2222
SMBT 2222 A
q
High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA
q
Low collector-emitter saturation voltage
q
Complementary types: SMBT 2907,
SMBT 2907 A (PNP)
Type
SMBT 2222
SMBT 2222 A
Marking
s1B
s1P
Ordering Code
(tape and reel)
Q68000-A6481
Q68000-A6473
Pin Configuration
1
2
3
B
E
C
Package
1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation,
T
S
=
77 藲C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
290
鈮?/div>
220
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Values
Unit
SMBT 2222
SMBT 2222 A
30
60
5
40
75
6
600
330
150
鈥?65 鈥?+ 150
mA
mW
藲C
V
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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