SIS862DN-T1-GE3 產(chǎn)品屬性

• 現(xiàn)有數(shù)量

  0現(xiàn)貨查看交期

• 價格

  1 : ￥9.30000剪切帶（CT）3,000 : ￥3.94416卷帶（TR）

• 系列

  TrenchFET?

• 包裝

  卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

• 產(chǎn)品狀態(tài)

  在售

• FET 類型

  N 通道

• 技術(shù)

  MOSFET（金屬氧化物）

• 漏源電壓（Vdss）

  60 V

• 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

  40A（Tc）

• 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

  4.5V，10V

• 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）

  8.5 毫歐 @ 20A，10V

• 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

  2.6V @ 250μA

• 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）

  32 nC @ 10 V

• Vgs（最大值）

  ±20V

• 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

  1320 pF @ 30 V

• FET 功能

  -

• 功率耗散（最大值）

  3.7W（Ta），52W（Tc）

• 工作溫度

  -55°C ~ 150°C（TJ）

• 安裝類型

  表面貼裝型

• 供應(yīng)商器件封裝

  PowerPAK? 1212-8

• 封裝/外殼

  PowerPAK? 1212-8