SIS612EDNT-T1-GE3 產(chǎn)品屬性

• 現(xiàn)有數(shù)量

  0現(xiàn)貨

• 價(jià)格

  停產(chǎn)

• 系列

  TrenchFET?

• 包裝

  卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

• 產(chǎn)品狀態(tài)

  停產(chǎn)

• FET 類型

  N 通道

• 技術(shù)

  MOSFET（金屬氧化物）

• 漏源電壓（Vdss）

  20 V

• 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

  50A（Tc）

• 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

  2.5V，4.5V

• 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

  3.9 毫歐 @ 14A，4.5V

• 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

  1.2V @ 1mA

• 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）

  70 nC @ 10 V

• Vgs（最大值）

  ±12V

• 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

  2060 pF @ 10 V

• FET 功能

  -

• 功率耗散（最大值）

  3.7W（Ta），52W（Tc）

• 工作溫度

  -55°C ~ 150°C（TJ）

• 安裝類型

  表面貼裝型

• 供應(yīng)商器件封裝

  PowerPAK? 1212-8S

• 封裝/外殼

  PowerPAK? 1212-8S