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SII75N06

NPT IGBT Modules

Dimensions in mm (1mm = 0.0394")

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Conditions

T

C

= 25

o

C,

unless otherwise specified

Values

600

100(75)

150

355

_

+20

75

150

450

2500

Units

V

A

A

W

V

A

A

As

V

2

IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter

V

CES

I

C

T

C

= 25(75)

o

C

I

CRM

T

C

= 75

o

C, t

P

=1ms

P

tot

T

C

= 25

o

C, T

vj

= 150

o

C

V

GES

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

I

F

I

FRM

t

P

=1ms

V

R

=0V, t

P

=10ms; T

Vj

=125

o

C

I

2

t

Module Isolation/ Module Isolation

V

ISOL

RMS, f=50Hz, t=1min, NTC connect to Baseplate

S

irectifier

R

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• 型號(hào)
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• SII7170
  英文版
  Silicon image [iTMDS Transmitter]
  SILICONIMAGE
  SII7170
• SII7171
  英文版
  Silicon image [iTMDS Receiver]
  SILICONIMAGE
  SII7171
• SII75N06
  英文版
  Sirectifier Semiconductors [NPT IGBT Modules]
  SIRECTIFIER
  SII75N06
• SII75N12
  英文版
  Sirectifier Semiconductors [NPT IGBT Modules]
  SIRECTIFIER
  SII75N12
• SII75S12
  英文版
  Sirectifier Semiconductors [SPT IGBT Modules]
  SIRECTIFIER
  SII75S12

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