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SIE726DF-T1-GE3 Datasheet

IC型號：
SIE726DF-T1-GE3
PDF描述：
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
文件大?。?/label>
139.00KB
PDF頁數(shù)：
7頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

SIE726DF-T1-GE3 產(chǎn)品屬性

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SkyFET®, TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7400pF @ 15V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
10-PolarPAK?（L）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SIE726DF-T1-GE3-NDSIE726DF-T1-GE3TR

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型號

版本

描述

廠商

下載
SiE726DF

英文版

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Vishay Intertec...

SiE726DF
SIE726DF-T...

英文版

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

SIE726DF-T1-GE3

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