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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

SIB900EDK-T1-GE3 Datasheet

IC型號(hào)：
SIB900EDK-T1-GE3
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
文件大小：
135.00KB
PDF頁數(shù)：
7頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

SIB900EDK-T1-GE3 產(chǎn)品屬性

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
225 毫歐 @ 1.6A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SC-75-6L 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerPAK? SC-75-6L 雙
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SIB900EDK-T1-GE3TR

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
SiB911DK

英文版

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiB911DK
SiB912DK

英文版

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiB912DK
SiB914DK

英文版

Dual N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiB914DK
SiB900EDK

英文版

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiB900EDK
SIB912DK-T...

英文版

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

SIB912DK-T1-GE3
SIB900EDK-...

英文版

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

SIB900EDK-T1-GE3

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