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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

SIA519EDJ-T1-GE3 Datasheet

IC型號：
SIA519EDJ-T1-GE3
PDF描述：
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
文件大?。?/label>
316.00KB
PDF頁數(shù)：
14頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

SIA519EDJ-T1-GE3 產(chǎn)品屬性

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 4.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 10V
功率 - 最大
7.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝
PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SIA519EDJ-T1-GE3TR

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型號

版本

描述

廠商

下載
SiA517DJ

英文版

N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiA517DJ
SiA519EDJ

英文版

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiA519EDJ
SiA533EDJ

英文版

N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Vishay Intertec...

SiA533EDJ
SIA517DJ-T...

英文版

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

SIA517DJ-T1-GE3
SIA527DJ-T...

英文版

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

SIA527DJ-T1-GE3
SIA519EDJ-...

英文版

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

SIA519EDJ-T1-GE3
SIA533EDJ-...

英文版

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

SIA533EDJ-T1-GE3

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