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SFH9140 Datasheet

  • SFH9140

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
錕?frac12;
Avalanche Rugged Technology
錕?frac12;
Rugged Gate Oxide Technology
錕?frac12;
Lower Input Capacitance
錕?frac12;
Improved Gate Charge
錕?frac12;
Extended Safe Operating Area
錕?frac12;
175 C Operating Temperature
錕?frac12;
Lower Leakage Current : 10
碌A(chǔ)
(Max.) @ V
DS
= -100V
錕?frac12;
Lower R
DS(ON)
: 0.161
鈩?/div>
(Typ.)
o
SFH9140
BV
DSS
= -100 V
R
DS(on)
= 0.2
鈩?/div>
I
D
= -19 A
TO-3P
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 C)
Continuous Drain Current (T
C
=100 C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25 C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes,
1/8鈥?/div>
from case for 5-seconds
o
2
O
1
O
1
O
3
O
o
o
Value
-100
-19
-13.3
1
O
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/ C
o
-76
+
20
_
600
-19
16.6
-6.5
166
1.11
- 55 to +175
o
C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.24
--
Max.
0.9
--
40
o
Units
C/W

SFH9140 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • MOSFET

  • P-Channel

  • - 100 V

  • +/- 20 V

  • - 19 A

  • 0.2 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-3P

  • Tube

  • 26 ns

  • 9.7 S

  • - 55 C

  • 166 W

  • 22 ns

  • 30

  • 45 ns

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    Reflective Interrupter in SMT Package
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    ETC
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