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SFH415-UQ62702P1137 Datasheet

  • SFH415-UQ62702P1137

  • INFRA-RED EMITTER 5MM

  • 53.70KB

  • 5頁

  • ETC

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GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
SFH 415
SFH 416
Cathode
29
27
9.0
8.2
spacing
2.54 mm
0.4
0.8
1.8
1.2
7.8
7.5
5.9
5.5
酶4.8
酶5.1
Area not flat
Chip position
4.8
4.2
0.6
0.4
GEO06645
Area not flat
0.6
0.4
6.9
6.1
5.7
5.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
5.9
5.5
1.8
1.2
29.5
27.5
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
酶5.1
酶4.8
4.0
3.4
Chip position
0.6
0.4
fex06630
GEX06630
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Gute Linearit盲t (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Str枚men
q
Sehr hoher Wirkungsgrad
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
SFH 415: Geh盲usegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkger盲ten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Ger盲tefernsteuerungen
Features
q
GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Good linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
High efficiency
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
SFH 415: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control of various equipment
Semiconductor Group
1
1999-02-04
fexf6626
0.4
0.6

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