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SDT12S60 Datasheet

  • SDT12S60

  • Silicon Carbide Schottky Diode

  • 382.27KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
Silicon Carbide Schottky Diode
Worlds first 600V Schottky diode
Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on
the switching behavior
No forward recovery

SDT12S60
Product Summary
V
RRM
Q
c
I
F
600
30
12
P-TO220-2-2.
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Power dissipation,
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
Page 1






V
nC
A
Type
SDT12S60
Package
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4470
Marking
D12S60
Pin 1
C
Pin 2
A
Pin 3
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous forward current,
T
C
=100擄C
RMS forward current,
f=50Hz
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
Symbol
I
F
I
FRMS
Value
12
17
36
49
120
6.48
600
600
88.2
-55... +175
Unit
A
Surge non repetitive forward current, sine halfwave
I
FSM
Repetitive peak forward current
T
j
=150擄C,
T
C
=100擄C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
Non repetitive peak forward current
t
p
=10碌s,
T
C
=25擄C
i
2
t
value,
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
A虜s
V
W
擄C
V
RRM
V
RSM
P
tot
T
j ,
T
stg
2002-01-14

SDT12S60 產(chǎn)品屬性

  • SDT12S60

  • 500

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • 單二極管/整流器

  • thinQ!™

  • 碳化硅肖特基

  • 600V

  • 12A（DC）

  • 1.7V @ 12A

  • 無恢復時間 > 500mA（Io）

  • 0ns

  • 400µA @ 600V

  • 450pF @ 1V，1MHz

  • 通孔

  • TO-220-2

  • PG-TO220-2

  • 管件

  • SDT12S60INSDT12S60XSDT12S60XKSDT12S60XTINSDT12S60XTIN-NDSP000013825

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