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SDI100N12 Datasheet

  • SDI100N12

  • Sirectifier Semiconductors [NPT IGBT Modules]

  • SIRECTIFIER

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SDI100N12
NPT IGBT Modules
Dimensions in mm (1mm = 0.0394")
Absolute Maximum Ratings
Symbol
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
Vj,
(T
stg
)
Conditions
T
C
= 25
o
C,
unless otherwise specified
Values
1200
Units
V
A
A
V
o
T
C
= 25(80)
C
T
C
= 25(80)
o
C, t
P
=1ms
_
T
OPERATION
< T
stg
o
100(90)
200(180)
_
+20
_
40...+150(125)
2500
95(65)
200(180)
720
130(90)
200(180)
1100
C
AC, 1min
V
isol
Inverse Diode
I
F
= -I
C
I
FRM
V
A
A
A
A
A
A
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C, t
P
=1ms
I
FSM
t
P
=10ms; sin.;T
j
=150
o
C
Freewheeling diode
T
C
= 25(80)
o
C
I
F
= -I
C
I
FRM
T
C
= 25(80)
o
C, t
P
=1ms
I
FSM
t
P
=10ms; sin.;T
j
=150
o
C

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