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IC Datasheet頻道、中國(guó)IC資料網(wǎng)

SDE6603-3R3M Datasheet

IC型號(hào)：
SDE6603-3R3M
PDF描述：
3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 2A 80 mOhm Max Nonstand...
文件大?。?/label>
431.00KB
PDF頁(yè)數(shù)：
2頁(yè)

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

SDE6603-3R3M 產(chǎn)品屬性

標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,000
類別
電感器，線圈，扼流圈
家庭
固定式
系列
SDE6603
電感
3.3µH
電流
2A
電流 - 飽和
2A
電流 - 溫升
-
類型
鐵氧體芯體
容差
±20%
屏蔽
無(wú)屏蔽
DC 電阻(DCR)
最大 80 毫歐
Q因子@頻率
-
頻率 - 自諧振
70MHz
材料 - 芯體
鐵氧體
封裝/外殼
0.260" L x 0.175" W x 0.115" H（6.60mm x 4.45mm x 2.92mm）
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
工作溫度
-25°C ~ 105°C
頻率 - 測(cè)試
100kHz
其它名稱
SDE6603-3R3MTR

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
SDE6603-10...

英文版

1mH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 13.8 Ohm Max Nonstand...

SDE6603-102M
SDE6603-3R...

英文版

3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 2A 80 mOhm Max Nonstand...

SDE6603-3R3M

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