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SD56150 Datasheet

  • SD56150

  • RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY

  • 217.95KB

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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SD56150
RF POWER TRANSISTORS
The
LdmoST
FAMILY
PRELIMINARY DATA
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL
MOSFETs
鈥?/div>
EXCELLENT THERMAL STABILITY
鈥?/div>
COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSH-
PULL
鈥?/div>
P
OUT
= 150 W WITH 13 dB gain @ 860 MHz /32V
鈥?/div>
BeO FREE PACKAGE
鈥?/div>
INTERNAL INPUT MATCHING
ORDER CODE
SD56150
M252
epoxy sealed
BRANDING
SD56150
DESCRIPTION
The SD56150 is a common source N-Channel
enhancement-mode lateral Field-Effect RF power
transistor designed for broadband commercial and
industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz.
The SD56150 is designed for high gain and
broadband performance operating in common
source mode at 32 V. Its internal matching makes it
ideal for TV broadcast applications requiring high
linearity.
PIN CONNECTION
1
2
3
5
4
1. Drain
2. Drain
3. Source
4. Gate
5. Gate
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
CASE
= 25
擄
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
STG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation (@ Tc = 70
擄
C)
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
65
鹵
20
17
236
200
-65 to +150
Unit
V
V
A
W
擄C
擄C
THERMAL DATA
R
th(j-c)
Junction -Case Thermal Resistance
0.55
擄C/W
November, 27 2002
1/8

SD56150 產品屬性

  • 15

  • 分離式半導體產品

  • RF FET

  • -

  • LDMOS

  • 860MHz

  • 16.5dB

  • 32V

  • 17A

  • -

  • 500mA

  • 150W

  • 65V

  • M252

  • M252

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Hermetic Optoschmitts
    ETC
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    Hermetic Optoschmitts
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Hermetic Optoschmitts
    ETC
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    Hermetic Optoschmitts
    ETC [ETC]
  • 英文版
    SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 ...
    PANJIT
  • 英文版
    SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 ...
    PANJIT [Pa...
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    Hermetic Optoschmitts
    ETC
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