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SD2923 Datasheet

  • SD2923

  • RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

  • 109.73KB

  • 8頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD2923
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
s
s
s
s
s
GOLD METALLIZATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
Pout = 300W MIN. WITH 16 dB GAIN @ 30
MHz
THERMALLY ENHANCED PACKAGING
DESCRIPTION
The SD2923 is a gold metallized N-Channel MOS
field-effect RF power transistor. It is intended for
use in 50 V DC large signal applications up to
150 MHz
M177
epoxy sealed
ORDER CODE
BRANDING
SD2923
SD2923
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
3. Gate
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
DI SS
T
j
T
STG
Parameter
Drain Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M鈩?
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. O perating Junction Temperature
Storage T emperature
Value
125
125
鹵20
40
648
200
-65 to 150
4. Source
5. Source
Uni t
V
V
V
A
W
o
o
C
C
THERMAL DATA
R
th (j-c)
R
th(c -s)
Junction-Case Thermal Resistance
Case-Heatsink T hermal Resistance
鈭?/div>
0.27
0.15
o
o
C/W
C/W
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
November 1999
1/8

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    ETC
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    Analog IC
    ETC
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    RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
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    RF Mosfet N-Channel 50V 100mA 30MHz 22dB 30W M113
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