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SD2921 Datasheet

  • SD2921

  • RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

  • 10頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD2921
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
s
s
s
s
GOLD METALLIZATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
POUT = 150W MIN. WITH 12.5 dB gain @175
MHz
DESCRIPTION
The SD2921 is a gold metallized N-Channel MOS
field-effect RF power transistor. The SD2921 is
intended for use in 50V dc large signal
applications up to 200 MHz
M174
epoxy sealed
ORDER CODE
BRANDING
SD2921
SD2921
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
DI SS
T
j
T
STG
Parameter
Drain Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M鈩?
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. O perating Junction Temperature
Storage Temperature
Value
125
125
鹵20
16
292
200
-65 to 150
3.Gate
4. Source
Uni t
V
V
V
A
W
o
o
C
C
THERMAL DATA
R
th (j-c)
R
th(c -s)
Junction-Case T hermal Resistance
Case-Heatsink T hermal Resistance
鈭?/div>
0.6
0.2
o
o
C/W
C/W
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
November 1999
1/10

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    Analog IC
    ETC
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    Analog IC
    ETC
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    RF Mosfet N-Channel 50V 100mA 30MHz 22dB 30W M113
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