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SD2900 Datasheet

  • SD2900

  • RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD2900
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
s
s
s
s
s
s
s
s
GOLD METALLIZATION
COMMON SOURCE CONFIGURATION
2 - 500 MHz
5 WATTS
28 VOLTS
13.5 dB MIN. AT 400 MHz
CLASS A OR AB OPERATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
M113
epoxy sealed
ORDER CODE
BRANDING
SD2900
SD2900
DESCRIPTION
The SD2900 is a gold metallized N-Channel MOS
field-effect RF power transistor. It is intended for
use in 28 V DC large signal applications up to
500 MHz
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
DI SS
T
j
T
STG
Parameter
Drain Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M鈩?
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. O perating Junction Temperature
Storage Temperature
Value
65
65
鹵20
900
21.9
200
-65 to 150
3.Gate
4. Source
Uni t
V
V
V
mA
W
o
o
C
C
THERMAL DATA
R
th (j-c)
R
th(c -s)
Junction-Case T hermal Resistance
Case-Heatsink T hermal Resistance
鈭?/div>
8.0
0.30
o
o
C/W
C/W
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
November 1999
1/8

SD2900 產(chǎn)品屬性

  • SD2900 View All Specifications

  • 25

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • RF FET

  • -

  • N 通道

  • 400MHz

  • 16dB

  • 28V

  • 900mA

  • -

  • 50mA

  • 5W

  • 65V

  • M113

  • M113

  • 散裝

  • 497-5462SD2900-ND

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
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    RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
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    RF Mosfet N-Channel 50V 100mA 30MHz 22dB 30W M113
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