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SD1541-09 Datasheet

  • SD1541-09

  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

  • 4頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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SD1541-09
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AVIONICS APPLICATIONS
.
.
.
.
.
.
.
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED
IFF APPLICATIONS
450 WATTS (min.) IFF 1030/1090 MHz
7.0 dB MIN. GAIN
REFRACTORY GOLD METALLIZATION
BALLASTING AND LOW THERMAL
RESISTANCE FOR RELIABILITY AND
RUGGEDNESS
30:1 LOAD VSWR CAPABILITY AT
SPECIFIED OPERATING CONDITIONS
INPUT MATCHED, COMMON BASE
CONFIGURATION
.400 x .500 2LFL (M112)
hermetically sealed
ORDER CODE
SD1541-09
BRANDING
1541-9
PIN CONNECTION
DESCRIPTION
The SD1541-09 is a gold metallized silicon NPN
planar transistor. The SD1541-09 is designedfor
applications requiring high peak and low duty cy-
cles such as IFF. The SD1541-09 is packaged in
a metal/ceramic package with internal input match-
ing, resulting in improved broadband performance
and a low thermal resistance.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
擄
C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
65
65
3.5
22
1458
+200
鈭?/div>
65 to +150
V
V
V
A
W
擄
C
擄
C
THERMAL DATA
R
TH(j-c)
November 1992
Junction-Case Thermal Resistance
0.12
擄C/W
1/4

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    ETC
  • 英文版
    Semtech Corporation [Single Line TVS Diode for ESD Protecti...
    SEMTECH
  • 英文版
    RF & Microwave Transistors
    Microsemi
  • 英文版
    RF & Microwave Transistors
    Microsemi
  • 英文版
    International Rectifier [STANDARD RECOVERY DIODES]
    IRF
  • 英文版
    International Rectifier [STANDARD RECOVERY DIODES Stud Vers...
    IRF
  • 英文版
    RF & Microwave Transistors
    Microsemi
  • 英文版
    International Rectifier [FAST RECOVERY DIODES Stud Version]
    IRF
  • 英文版
    FAST RECOVERY DIODES Stud Version
    IRF
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    Microsemi
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    Microsemi
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    RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS
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