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S8550LT1 Datasheet

  • S8550LT1

  • HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP)

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S8550LT1
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP)
FEATURES
Die Size
0.44*0.44mm
Power dissipation
P
CM
: 225mW錛圱amb=25鈩冿級(jí)
Collector current
I
CM
: 0.5A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 40V
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORS
SOT鈥?3
鈥?/div>
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?unless otherwise specified錛?/div>
錛?/div>
鈩?/div>
錛?/div>
Parameter
Collector-base
breakdown
voltage
voltage
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE錛?錛?/div>
Test conditions
Ic= 100碌A(chǔ) , I
E
=0
Ic= 1 mA錛孖
B
=0
I
E
= 100碌A(chǔ)錛孖
C
=0
V
CB
= 30V , I
E
=0
V
EB
= 5V錛孖
C
=0
V
CE
= 1V, I
C
= 150mA
V
CE
= 1V, I
C
= 500mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 10mA, V
CE
=1V
MIN
30
21
5.0
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
Collector-emitter breakdown
Emitter-base
breakdown
current
current
voltage
Collector cut-off
Emitter
cut-off
1.0
100
120
40
500
1.2
1.0
400
碌A(chǔ)
nA
DC
current
gain(note)
H
FE錛?錛?/div>
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation
Base-emitter voltage
voltage
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE(on)
mV
V
V
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
Rank
Range
B9C
120-200
B9D
160-300
B9E
280-400
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: wsccltd@hkstar.com

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