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S2000AFI Datasheet

  • S2000AFI

  • HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

  • 6頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
S2000AFI
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
s
s
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE
(U.L. FILE # E81734 (N).
APPLICATIONS:
s
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV
DESCRIPTION
The
S2000AFI
is
manufactured
using
Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective
high performance and uses a Hollow Emitter
structure to enhance switching speeds.
1
3
2
ISOWATT218
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
t ot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
St orage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
1500
700
10
8
15
50
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
1/6
December 1999

S2000AFI 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • NPN

  • 700 V

  • 10 V

  • 8 A

  • Single

  • 7 MHz

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-93

  • Tube

  • 8 A

  • - 65 C

  • 50000 mW

  • 30

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