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RTR040N03 Datasheet

  • RTR040N03

  • Switching (30V, 4.0A)

  • 5頁

  • ROHM

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RTR040N03
Transistors
Switching (30V, 4.0A)
RTR040N03
Features
1) Low On-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small and Surface Mount Package (TSMT3).
External dimensions
(Unit : mm)
2.9鹵0.1
1.0MAX.
0.85鹵0.1
0.7鹵0.1
0.4
+0.1
鈭?.05
(3)
2.8鹵0.2
Application
Power switching, DC / DC converter.
1.6
+0.2
鈭?.1
0 to 0.1
(1)
0.95
0.95
(2)
1.9鹵0.2
0.16
+0.1
鈭?.06
Structure
Silicon N-channel
MOS FET
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : QV
Packaging specifications
Package
Type
RTR040N03
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TL
3000
Equivalent circuit
(3)
(1)
鈭?
鈭?
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
Mounted on a ceramic board
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
鈭?
I
S
I
SP
鈭?
P
D
鈭?
Tch
Tstg
Limits
30
12
鹵4.0
鹵16
0.8
16
1.0
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
0.3 to 0.6
TSMT3
(2)
鈭?
ESD PROTECTION DIODE
鈭?
BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Thermal resistance
(Ta=25擄C)
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
125
Unit
擄C
/ W
1/4

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