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RTQ040P02TR Datasheet

  • RTQ040P02TR

  • Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Ele...

  • 78.37KB

  • 5頁

  • ROHM

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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RTQ040P02
Transistors
DC-DC Converter (鈭?0V,
鈭?.0A)
RTQ040P02
!
Features
1) Low on-resistance. (110m鈩?at 2.5V)
2) High power package.
3) High speed switching.
4) Low voltage drive. (2.5V)
!
External dimensions
(Unit : mm)
TSMT6
2.8
1.6
(1)
(6)
0.4
(3)
!Applications
DC-DC converter
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
0.16
(4)
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : TZ
!
Structure
Silicon P-channel
MOS FET
!
Equivalent circuit
(6)
(5)
(4)
鈭?
!
Packaging specifications
Package
Type
RTQ040P02
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(1)
(2)
(3)
鈭?
ESD PROTECTION DIODE
鈭?
BODY DIODE
鈭?
0.85
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
2.9
(2)
(5)
1/4

RTQ040P02TR 產(chǎn)品屬性

  • MOSFETs

  • ECOMOS? Series MOSFETs

  • 3,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 4A

  • 50 毫歐 @ 4A，4.5V

  • 2V @ 1mA

  • 12.2nC @ 4.5V

  • 1350pF @ 10V

  • 1.25W

  • 表面貼裝

  • SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

  • TSMT6

  • 帶卷 (TR)

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