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IC Datasheet頻道、中國(guó)IC資料網(wǎng)

RT1E040RPTR Datasheet

IC型號(hào)：
RT1E040RPTR
PDF描述：
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
文件大?。?/label>
626.00KB
PDF頁(yè)數(shù)：
12頁(yè)

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

RT1E040RPTR 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
價(jià)格
3,000 : ￥1.66906卷帶（TR）
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計(jì)
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
45 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
550mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-TSST
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
RT1E040RPT...

英文版

MOSFET P-CH 30V 4A TSST8

RT1E040RPTR
RT1E050RPT...

英文版

MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

RT1E050RPTR

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