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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

RT1C060UNTR Datasheet

IC型號：
RT1C060UNTR
PDF描述：
MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
文件大?。?/label>
604.00KB
PDF頁數(shù)：
12頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

RT1C060UNTR 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
價格
3,000 : ￥1.75963卷帶（TR）
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
28 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-TSST
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線

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RT1C060UNT...

英文版

MOSFET N-CH 20V 6A TSST8

RT1C060UNTR

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