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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

RT1A060APTR Datasheet

IC型號：
RT1A060APTR
PDF描述：
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
文件大小：
2397.00KB
PDF頁數(shù)：
12頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

RT1A060APTR 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
66現(xiàn)貨
價格
1 : ￥4.69000剪切帶（CT）3,000 : ￥1.81555卷帶（TR）
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
19 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
80 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7800 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSST
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線

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型號

版本

描述

廠商

下載
RT1A3906

英文版

ETC

RT1A3906
RT1A3906

英文版

ETC [ETC]

RT1A3906
RT1A040ZPT...

英文版

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

RT1A040ZPTR
RT1A050ZPT...

英文版

MOSFET P-CH 12V 5A TSST8

RT1A050ZPTR
RT1A060APT...

英文版

MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

RT1A060APTR
RT1A045APT...

英文版

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8

RT1A045APTCR

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