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RSX051VA-30 Datasheet

  • RSX051VA-30

  • nullShottky barrier diode

  • 3頁

  • ROHM

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RSX051VA-30
Diodes
Shottky barrier diode
RSX051VA-30
Application
General rectification.
External dimensions
(Unit : mm)
0.8鹵0.05
CATHODE MARK
0.17鹵
0.1
0.05
Features
1) Small power mold type. (TUMD2 (1913) )
2) High reliability.
3) Low V
F
/ Low I
R
. (0.35V at 0.7A / 40碌A at 30V)
1.9鹵0.1
2.5鹵0.2
P
Structure
Silicon Epitaxial Planer
ROHM :
EIAJ :
鈭?/div>
JEDEC :
1.3鹵0.1
0.6鹵
0.2
0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc.)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
30
0.5
5
150
鈭?0
to 150
Unit
V
V
A
A
擄C
擄C
Electrical characteristics
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
F1
I
R2
C
T
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
0.35
40
30
Max.
0.39
200
鈭?/div>
Unit
V
碌A
pF
Conditions
I
F
=0.5A
V
R
=30V
V
R
=10V,
f=1MHz
Rev.A
0.4鹵0.1
1.45鹵0.1
1/2

RSX051VA-30 產(chǎn)品屬性

  • 肖特基

  • 表面貼裝

  • 1.3mm

  • TUMD

  • 0.6 x 1.9 x 1.3mm

  • 0.2mA

  • 30V

  • 0.005kA

  • 2

  • -40 °C

  • 0.5A

  • +150 °C

  • 單

  • 1.9mm

  • 0.6mm

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