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RSR020P03 Datasheet

  • RSR020P03

  • 4V Drive Pch MOS FET

  • 3頁(yè)

  • ROHM

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RSR020P03
Transistors
4V Drive Pch MOS FET
RSR020P03
Structure
Silicon P-channel MOS FET
External dimensions
(Unit : mm)
TSMT3
1.0MAX
2.9
0.4
0.85
0.7
Features
1) Low On-resistance
2) Space saving鈭抯mall surface mount package (TSMT3)
3) 4V drive
(1) Gate
(3)
1.6
2.8
0~0.1
(1)
(2)
0.95 0.95
1.9
0.16
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : WZ
Applications
Switching
(2) Source
(3) Drain
Packaging specifications
Package
Type
RSR020P03
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TL
3000
Inner circuit
(3)
(1)
鈭?
鈭?
0.3~0.6
(2)
鈭?
ESD PROTECTION DIODE
鈭?
BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
Mounted on a ceramic board
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
鈭?
I
S
I
SP
鈭?
P
D
鈭?
Tch
Tstg
Limits
鈭?0
鹵20
鹵2
鹵8
鈭?.8
鈭?
1
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
鈭?/div>
Mounted on a ceramic board
Symbol
Rth(ch-a)
鈭?/div>
Limits
125
Unit
擄C/W
1/2

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RSR025P03,RSS060P05

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