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RSF014N03 Datasheet

  • RSF014N03

  • 4V Drive Nch MOS FET

  • 3頁(yè)

  • ROHM

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RSF014N03
Transistors
4V Drive Nch MOSFET
RSF014N03
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
TUMT3
0.85Max.
0.77
2.0
Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving, small surface mount package (TUMT3).
3) 4V drive.
(1) Gate
0.3
(3)
1.7
0.2
(1)
(2)
2.1
0~0.1
0.65 0.65
1.3
0.17
Applications
Switching
(2) Source
(3) Drain
Abbreviated symbol : PN
Packaging specifications
Package
Type
RSF014N03
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TL
3000
Inner circuit
(3)
(1)
鈭?
鈭?
(2)
鈭?
ESD PROTECTION DIODE
鈭?
BODY DIODE
0.15Max.
0.2
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
Mounted on a ceramic board
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
鈭?
I
S
I
SP
鈭?
P
D
鈭?
Tch
Tstg
Limits
30
20
鹵1.4
鹵5.6
0.6
5.6
0.8
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
鈭?/div>
Mounted on a ceramic board
Symbol
Rth(ch-a)
鈭?/div>
Limits
156
Unit
擄C/W
Rev.A
1/4

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RSL020P03,RSM002P03

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