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RSB12JS2 Datasheet

  • RSB12JS2

  • Bi Direction ESD Protection Diode

  • 4頁(yè)

  • ROHM

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RSB12JS2
Diodes
Bi Direction ESD Protection Diode
(Silicon Epitaxial Planer)
RSB12JS2
Application
ESD Protection
Features
1) Low capacitance
2) Bi direction
3) Ultra small mold type (EMD6)
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Pd
Tj
Tstg
150 mW/Total
150
擄C
鈭?5
to 150
擄C
Electrical characteristics
(Ta=25擄C) (鈭桼ating of per diode)
Characteristic
Zener Voltage
Reverse current
Junction capacitance
Symbol
Vz
IR
Ct
Test Condition
Iz=
VR=
銆€
f=
VR=
5 mA
9V
1MHz
0V
Standard
MIN.
MAX.
9.6 V
14.4 V
-
0.1碌A(chǔ)
1 pF
TYP.
鈭?/div>
Please pay attention to static electricity when handling.
鈭?/div>
Zener voltage (Vz) shall be measured at 40ms after loading current.
1/3

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