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RQA0009SXTL-E Datasheet

  • RQA0009SXTL-E

  • Silicon N-Channel MOS FET

  • 200.79KB

  • 13頁

  • RENESAS

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RQA0009SXAQS
Silicon N-Channel MOS FET
REJ03G1566-0100
Rev.1.00
Jul 04, 2007
Features
鈥?/div>
High Output Power, High Gain, High Efficiency
Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65%
(V
DS
= 6 V, f = 520 MHz)
鈥?/div>
Compact package capable of surface mounting
鈥?/div>
Electrostatic Discharge Immunity Test
(IEC Standard, 61000-4-2, Level4)
Outline
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A
(Package Name : UPAK
R
)
3
3
2
1
1
4
1. Gate
2. Source
3. Drain
4. Source
2, 4
Note:
Marking is 鈥淪X鈥?
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Note: Value at Tc = 25擄C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
Pch
note
Tch
Tstg
Ratings
16
鹵5
3.2
15
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
A
W
擄C
擄C
This device is sensitive to electro static discharge. An adequate careful handling procedure is requested.
REJ03G1566-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007
Page 1 of 12

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