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RN2909FE Datasheet

  • RN2909FE

  • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) ...

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  • TOSHIBA

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RN2907FE~RN2909FE
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2907FE,RN2908FE,RN2909FE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications.
路
路
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact
equipment and save assembly cost.
路
Complementary to RN1907FE~RN1909FE
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN2907FE
RN2908FE
R2
RN2909FE
E
R1 (kW)
10
22
47
R2 (kW)
47
47
22
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight:
g (typ.)
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C) (Q1, Q2 common)
Equivalent Circuit
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2907FE~
RN2909FE
RN2907FE
Emitter-base voltage
RN2908FE
RN2909FE
Collector current
Collector power dissipation RN2907FE~
RN2909FE
Junction temperature
Storage temperature range
I
C
P
C
(Note)
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
-50
-50
-6
-7
-15
-100
100
150
-55~150
mA
mW
擄C
擄C
1
2
3
V
Q1
Unit
V
V
Q2
(top view)
6
5
4
Note: Total rating
1
2003-01-10

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  • 型號(hào)
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    廠(chǎng)商
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    TOSHIBA
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