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RN2107MFV Datasheet

  • RN2107MFV

  • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Ci...

  • 6頁

  • TOSHIBA

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RN2107MFV鈭糝N2109MFV
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
0.22鹵0.05
Unit: mm
1.2鹵0.05
0.8鹵0.05
0.32鹵0.05
0.13鹵0.05
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so
enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN1107MFV~RN1109MFV
Lead (Pb) - free
0.5鹵0.05
1.2鹵0.05
0.8鹵0.05
0.4
0.4
1
2
3
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
VESM
Type No.
RN2107MFV
RN2108MFV
RN2109MFV
R1 (k鈩?
10
22
47
R2 (k鈩?
47
47
22
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-1L1A
Weight: 0.0015 g (typ.)
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2107MFV
~RN2109MFV
RN2107MFV
Emitter-base voltage
RN2108MFV
RN2109MFV
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2107MFV
~RN2109MFV
I
C
P
C
(Note)
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
鈭?0
鈭?0
鈭?
鈭?
鈭?5
鈭?00
150
150
鈭?5~150
mA
mW
擄C
擄C
V
Unit
V
V
Note: Mounted on an FR4 board (25.4 mm
脳
25.4 mm
脳
1.6 mmt)
0.5
0.45
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
1
2005-03-30

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