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RN1909 Datasheet

  • RN1909

  • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

  • 6頁

  • TOSHIBA

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RN1907~RN1909
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1907,RN1908,RN1909
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN2907~RN2909
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1907
RN1908
RN1909
R1 (k鈩?
10
22
47
R2 (k鈩?
47
47
22
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 6.8mg
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2J1A
Equivalent Circuit
(Top View)
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C) (Q1, Q2 Common)
擄
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1907~1909
RN1907
Emitter-base voltage
RN1908
RN1909
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1907~1909
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
6
7
15
100
200
150
鈭?5~150
mA
mW
擄C
擄C
V
Unit
V
V
*: Total rating
1
2001-06-07

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