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RN1441 Datasheet

  • RN1441

  • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

  • 9頁(yè)

  • TOSHIBA

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RN1441~RN1444
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1441,RN1442,RN1443,RN1444
Muting And Switching Applications
l
High emitter-base voltage: V
EBO
= 25V (min)
l
High reverse h
FE
: reverse h
FE
= 150 (typ.) (V
CE
=
鈭?V,
I
C
=
鈭?mA)
l
Low on resistance: R
ON
= 1鈩?(typ.) (I
B
= 5mA)
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit in mm
Equivalent Circuit
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.012g
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
擄
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
20
25
300
200
150
鈭?5~150
Unit
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Marking
Type No.
RN1441
RN1442
RN1443
RN1444
H
FE
classification
A
KA
LA
NA
CA
B
KB
LB
NB
CB
1
2001-06-07

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