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RN1418 Datasheet

  • RN1418

  • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

  • 273.77KB

  • 8頁

  • TOSHIBA

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RN1414~RN1418
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1414,RN1415,RN1416
RN1417,RN1418
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN2414~RN2418
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1414
RN1415
RN1416
RN1417
RN1418
R1 (k鈩?
1
2.2
4.7
10
47
R2 (k鈩?
10
10
10
4.7
10
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.012g
SC-236MOD
SC-59
2-3F1A
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
擄
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1414~1418
RN1414
RN1415
Emitter-base voltage
RN1416
RN1417
RN1418
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1414~1418
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
5
6
7
15
25
100
200
150
鈭?5~150
mA
mW
擄C
擄C
V
Unit
V
V
1
2001-06-07

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