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RN1223 Datasheet

  • RN1223

  • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

  • 8頁

  • TOSHIBA

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RN1221,RN1222,RN1223,RN1224,RN1225,RN1226,RN1227
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1221,RN1222,RN1223,RN1224
RN1225,RN1226,RN1227
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
High current type (I
C(MAX)
= 800mA)
l
With built-in bias resistors.
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Low
VCE (sat)
l
Complementary to RN2221~2227
Unit: mm
Equivalent Circuit
Type No.
RN1221
RN1222
RN1223
RN1224
RN1225
RN1226
RN1227
R1 (k鈩?
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2 (k鈩?
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.13g
鈥?/div>
鈥?/div>
2-4E1A
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1221~1227
RN1221~1224
Emitter-base voltage
RN1225, 1226
RN1227
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1221~1227
I
c
P
c
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
10
5
6
800
300
150
鈭?5~150
mA
mW
擄C
擄C
V
Unit
V
V
1
2001-06-07

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