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RMBA09501 Datasheet

  • RMBA09501

  • Cellular 2 Watt Linear GaAs MMIC Power Amplifier

  • 96.38KB

  • 7頁(yè)

  • FAIRCHILD

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RMBA09501
May 2004
RMBA09501
Cellular 2 Watt Linear GaAs MMIC Power Amplifier
General Description
The RMBA09501 is a highly linear Power Amplifier. The
two stage circuit uses our pHEMT process. It is designed
for use as a driver stage for Cellular base stations, or as the
output stage for Micro- and Pico-Cell base stations. The
amplifier has been optimized for high linearity requirements
for CDMA operation.
Features
鈥?2 Watt Linear output power at 36dBc ACPR1 for CDMA
operation
鈥?Small Signal Gain of > 30dB
鈥?Small outline SMD package
Device
Absolute Ratings
Symbol
V
DD
V
GS
P
RF
T
C
T
S
Parameter
Drain Supply Voltage
1
Gate Supply Voltage
RF Input Power (from 50
鈩?/div>
source)
Case Operating Temperature
Storage Temperature
Min
Max
+10
-5
+5
+85
+100
Units
V
V
dBm
擄C
擄C
-30
-40
Note:
1. Only under quiescent conditions鈥攏o RF applied.
漏2004 Fairchild Semiconductor Corporation
RMBA09501 Rev. C

RMBA09501 產(chǎn)品屬性

  • 2,000

  • RF/IF 和 RFID

  • RF 放大器

  • -

  • 849MHz ~ 869MHz

  • -

  • 35dB

  • 6dB

  • 手機(jī)，CDMA

  • 7V

  • 150mA

  • -

  • 12-SMD 模塊

  • 帶卷 (TR)

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