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RD30HUF1_06 Datasheet

  • RD30HUF1_06

  • Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W

  • 7頁(yè)

  • MITSUBISHI   MITSUBISHI

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
RD30HUF1
DRAWING
22.0+/-0.3
18.0+/-0.3
7.6+/-0.3
4-C1
RoHS Compliance,
DESCRIPTION
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
OUTLINE
RD30HUF1 is a MOS FET type transistor specifically
designed for UHF RF power amplifiers applications.
7.2+/-0.5
High power gain:
Pout>30W, Gp>10dB @Vdd=12.5V,f=520MHz
High Efficiency: 55%typ.
2
3
R1.6
14.0+/-0.4
6.6+/-0.3
FEATURES
1
3.0+/-0.4
5.1+/-0.5
For output stage of high power amplifiers in UHF
band mobile radio sets.
2.3+/-0.3
APPLICATION
2.8+/-0.3
0.10
PIN
1.Drain
2.Source
3.Gate
UNIT:mm
RoHS COMPLIANT
RD30HUF1-101
is a RoHS compliant products.
RoHS compliance is indicate by the letter 鈥淕鈥?after
the Lot Marking.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tc=25
擄C
UNLESS OTHERWISE NOTED)
SYMBOL
V
DSS
V
GSS
Pch
Pin
ID
Tch
Tstg
Rth j-c
PARAMETER
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Channel dissipation
Input power
Drain current
Channel temperature
Storage temperature
Thermal resistance
CONDITIONS
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
擄C
Zg=Zl=50
鈩?/div>
-
-
-
junction to case
RATINGS
30
+/-20
75
7.5
7
175
-40 to +175
2.0
UNIT
V
V
W
W
A
擄C
擄C
擄C/W
Note 1: Above parameters are guaranteed independently.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tc=25
擄C
, UNLESS OTHERWISE NOTED)
SYMBOL
I
DSS
I
GSS
V
TH
Pout
畏D1
PARAMETER
Zero gate voltage drain current
Gate to source leak current
Gate threshold voltage
Output power
Drain efficiency
Load VSWR tolerance
CONDITIONS
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
=12V, I
DS
=1mA
f=520MHz,V
DD
=12.5V
Pin=3W,Idq=1.0A
V
DD
=15.2V,Po=30W(PinControl)
f=520MHz,Idq=1.0A,Zg=50
鈩?/div>
Load VSWR=20:1(All Phase)
MIN
-
-
1.2
30
50
LIMITS
TYP
MAX.
-
200
-
1
1.7
2.2
35
-
55
-
No destroy
UNIT
uA
uA
V
W
%
-
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.
RD30HUF1
MITSUBISHI ELECTRIC
1/7
10 Jan 2006

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  • 型號(hào)
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    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
    NEC
  • 英文版
    500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
    NEC [NEC]
  • 英文版
    ZENER DIODES 1 W DO-41 GLASS SEALED PACKAGE
    NEC
  • 英文版
    ZENER DIODES 1 W DO-41 GLASS SEALED PACKAGE
    NEC [NEC]
  • 英文版
    ZENER DIODES 200 mW 3-PIN MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    ZENER DIODES 200 mW 3-PIN MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    1W POWER MINI MOLD ZENER DIODE
    NEC
  • 英文版
    1W POWER MINI MOLD ZENER DIODE
    NEC [NEC]
  • 英文版
    ZENER DIODES 200 mW 2 PINS SUPER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    ZENER DIODES 200 mW 2 PINS SUPER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    Consumer IC
    ETC
  • 英文版
    Consumer IC
  • 英文版
    500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
    NEC
  • 英文版
    400 mW DHD ZENER DIODE DO-34
    NEC
  • 英文版
    400 mW DHD ZENER DIODE DO-34
    NEC [NEC]
  • 英文版
    Zener Diode, 30V V(Z), 6.52%, 1W, Silicon, Unidirectional, D...
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    Zener Diode, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41,
    NEC
  • 英文版
    ZENER DIODES
    NEC
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    深圳冠榮電子有...
  • 英文版
    ZENER DIODES
    NEC [NEC]

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