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RB886G Datasheet

  • RB886G

  • Schottky barrier diode

  • 2頁(yè)

  • ROHM

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RB886G
Diodes
Schottky barrier diode
RB886G
!
Applications
High frequency detection
!
External dimensions
(Units : mm)
1.0鹵0.05
1.4鹵0.05
!
Features
1) Small mold type. (VMD2)
2) Low Ct and high detection efficiency.
0.6鹵0.05
0.27鹵0.03
CATHODE MARK
0.13鹵0.03
0.5鹵0.05
!
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : VMD2
EIAJ :
鈭?/div>
JEDEC :
鈭?/div>
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage
Forward current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
I
F
Tj
Tstg
Limits
5.0
10
125
鈭?0~+125
Unit
V
mA
擄C
擄C
!
Electrical characteristics
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminal
Symbol
V
F
I
R
C
T
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
0.53
Max.
0.35
120
0.80
Unit
V
碌A(chǔ)
pF
I
F
=1.0mA
V
R
=5.0V
V
R
=1.0V, f=1.0MHz
Conditions
鈭?/div>
Please pay attention to static electricity when handling.
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