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RB876W Datasheet

  • RB876W

  • Schottky barrier diode

  • 72.07KB

  • 3頁

  • ROHM

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RB876W
Diodes
Schottky barrier diode
RB876W
!
Applications
High frequency detection
!
External dimensions
(Units : mm)
1.6鹵0.2
1.0鹵0.1
0.7鹵0.1
0.55鹵0.1
0.1 Min.
0.8鹵0.1
1.6鹵0.2
!
Features
1) Ultra small mold type. (EMD3)
2) Low Ct and high detection efficiency.
0.5
0.5
0.2鹵
0.1
0.05
(1)
(2)
0鈭?.1
!
Construction
Silicon epitaxial planar
(3)
ROHM : EMD3
EIAJ :
JEDEC :
0.3鹵
0.1
0.05
!
Circuit
K
A
A,K
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
I
F
Tj
Tstg
Limits
5
10
125
鈭?0~+125
Unit
V
mA
擄C
擄C
!
Electrical characteristics
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminal
Symbol
V
F
I
R
C
T
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
0.53
Max.
0.35
120
0.80
Unit
V
碌A(chǔ)
pF
I
F
=1.0mA
V
R
=5.0V
V
R
=1.0V,
f=1.0MHz
Conditions
鈭?/div>
Please pay attention to static electricity when handling.
3X
0.15鹵0.05
1/2

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    Schottky barrier diode
    ROHM
  • 英文版
    Schottky barrier diode
    ROHM [Rohm...
  • 英文版
    Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 5V 10mA Surfac...

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